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fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs

50 PC
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fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
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Caracteristicas
Especificaciones
tipo: Fotodiodo de InGaAs con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Alto Responsivity: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Corriente delantera: 30v
Tipo del laser: Laser de la fibra
Pago: TT/Paypal
Voltaje reverso máximo: 15 (PALADIO)
Opciones de la longitud: opción de los 0.1~1m
Fibra: SM 9/125
Poder: 2mW
Paquete: Caja del ESD
Alta luz:

Fotodiodo de InGaAs de la pequeña área

,

fotodiodo de 1650nm InGaAs

,

Fotodiodo del laser InGaAs de la fibra

Información básica
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: HICORPWELL
Certificación: ISO9001;2015
Número de modelo: Fotodiodo de InGaAs con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: Caja del ESD
Condiciones de pago: Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 500pcs por semana
Descripción de producto

fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs

 

 

El fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm utiliza un microprocesador del detector de InGaAs, y ofrece un bajo consumo de energía,

pequeña sensibilidad actual, alta oscura, grandes linearidades, diseño compacto y pequeño volumen.

El equipo es el más de uso general de receptores de CATV, del equipo de la detección del poder y de receptores de la señal óptica para los sistemas análogos.

 

fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs 0         fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs 1

 

 

Grados máximos absolutos

 

 

Parámetro Símbolo Grados Unidad
Temperatura de almacenamiento Tstg ~40 〜 +100 °C
Temperatura de funcionamiento Top -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Voltaje de funcionamiento Vop 5 V
Voltaje reverso del paladio VR (PALADIO) 25 V
Temporeros que sueldan - 260 °c
Tiempo que suelda - 10 s

 

Características ópticas y eléctricas

 

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Gama de longitud de onda λ 1100 - 1650 nanómetro -
Rango de potencia P -70 - +4 dBm V=5V
Diámetro activo Anuncio   75   um -
Corriente oscura Identificación - 0,2 0,5 nA -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 nanómetro
  0,90 0,95 入 =1550 nanómetro
Ancho de banda de la frecuencia Bw 1   2000 Megaciclo  
Respuesta de frecuencia Franco - 土 0,5 - DB  
Capacitancia Ct - 0,65 0,75 PF -
Tiempo de respuesta Tr 0,1 -   ns -
Pérdida de vuelta R1     -45 DB  
cso del cso - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

 

 

Hicorpwell es un enchufe profesional en los módulos coaxiales del diodo del fotodetector de InGaAs (receptáculo activo óptico análogo ROSA enchufar)

 

fabricante en China. También proporcionamos los diodos láser de la mariposa, diodo de detector coaxial del laser de la coleta de InGaAs, dispositivo coaxial del laser del diodo de la coleta

y más.

 

Asignación de Pin 5.PD:

             

                                                             

                                           fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs 2

                                                                            

                                                    

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs 3

 

 

 

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