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Tipo fotodiodo del SC del microprocesador del detector de InGaAs de InGaAs de la pequeña área de 1100nm-1650nm

50 PC
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Tipo fotodiodo del SC del microprocesador del detector de InGaAs de InGaAs de la pequeña área de 1100nm-1650nm
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Caracteristicas
Especificaciones
Tipo: Fotodiodo de InGaAs con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Alto Responsivity: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Corriente delantera: 30V
Tipo del laser: Laser de la fibra
Pago: TT/PayPal
Voltaje reverso máximo: 15 (PALADIO)
Opciones de la longitud: opción de los 0.1~1m
Fibra: SM 9/125
Poder: 2mw
Paquete: Caja del ESD
Alta luz:

Fotodiodo del laser InGaAs de la fibra

,

Tipo fotodiodo del SC de InGaAs

,

Fotodiodo de InGaAs de la pequeña área

Información básica
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: HICORPWELL
Certificación: ISO9001;2015
Número de modelo: Fotodiodo de InGaAs con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: Caja del ESD
Condiciones de pago: Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 500pcs por semana
Descripción de producto

fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs

 

 

El fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm utiliza un microprocesador del detector de InGaAs, y ofrece un bajo consumo de energía,

pequeña sensibilidad actual, alta oscura, grandes linearidades, diseño compacto y pequeño volumen.

El equipo es el más de uso general de receptores de CATV, del equipo de la detección del poder y de receptores de la señal óptica para los sistemas análogos.

 

Tipo fotodiodo del SC del microprocesador del detector de InGaAs de InGaAs de la pequeña área de 1100nm-1650nm 0         Tipo fotodiodo del SC del microprocesador del detector de InGaAs de InGaAs de la pequeña área de 1100nm-1650nm 1

 

 

Grados máximos absolutos

 

 

Parámetro Símbolo Grados Unidad
Temperatura de almacenamiento Tstg ~40 〜 +100 °C
Temperatura de funcionamiento Top -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Voltaje de funcionamiento Vop 5 V
Voltaje reverso del paladio VR (PALADIO) 25 V
Temporeros que sueldan - 260 °c
Tiempo que suelda - 10 s

 

Características ópticas y eléctricas

 

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Gama de longitud de onda λ 1100 - 1650 nanómetro -
Rango de potencia P -70 - +4 dBm V=5V
Diámetro activo Anuncio   75   um -
Corriente oscura Identificación - 0,2 0,5 nA -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 nanómetro
  0,90 0,95 入 =1550 nanómetro
Ancho de banda de la frecuencia Bw 1   2000 Megaciclo  
Respuesta de frecuencia Franco - 土 0,5 - DB  
Capacitancia Ct - 0,65 0,75 PF -
Tiempo de respuesta Tr 0,1 -   ns -
Pérdida de vuelta R1     -45 DB  
cso del cso - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

Información de la orden:

 

X — X X R — X X X  
Tipo conector Superficie fotosensible (um) Configuración del paladio ROHS Adaptador Tecnología Longitud de onda del receptor  
 

: FC-1

B: FC-2

C: FC-3

D: SC

E: ST

55: φ55

60: φ60

70: φ70

3H: φ300

5H: φ500

1K: φ1000

: tipo A

B: tipo B

C: tipo C

R: paso ROHS

 

B: metal con la virola de cerámica

C: adaptador platic sin de cerámica

D: adaptador platic con de cerámica

G: tipo del pegamento

N: Soldadura de laser

Yo: con el filtro 1550nm

N: 900-1650n

m

 

 

Hicorpwell es un enchufe profesional en los módulos coaxiales del diodo del fotodetector de InGaAs (receptáculo activo óptico análogo ROSA enchufar)

fabricante en China. También proporcionamos los diodos láser de la mariposa, diodo de detector coaxial del laser de la coleta de InGaAs, dispositivo coaxial del laser del diodo de la coleta

y más.

 

Asignación de Pin 5.PD:

 

 

Tipo fotodiodo del SC del microprocesador del detector de InGaAs de InGaAs de la pequeña área de 1100nm-1650nm 2         

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