PIN de InGaAs 1100nm-1650nm 75um con el tipo del SC del SC ROSA InGaAs Detector Chip
El fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm utiliza un microprocesador del detector de InGaAs, y ofrece un bajo consumo de energía,
pequeña sensibilidad actual, alta oscura, grandes linearidades, diseño compacto y pequeño volumen.
El equipo es el más de uso general de receptores de CATV, del equipo de la detección del poder y de receptores de la señal óptica para los sistemas análogos.
1. Características:
Pérdida de vuelta actual, baja oscura baja
Alta sensibilidad
Paquete coaxial, soldadura de laser
Respuesta de pulso rápida
Alta confiabilidad y vida larga de la operación
2.Applications:
Receptor óptico análogo
Equipo de prueba
Red de FTTH
CATV delantero/trayectoria de vuelta
Monitores de EDFA
Sistema de transmisión óptico
3, ópticas y eléctricas características
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
| Gama de longitud de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nanómetro | - |
| Rango de potencia | P | -70 | - | +3 | dBm | V, =5V |
| Diámetro activo | Anuncio | 75 | 80 | um | - | |
| Corriente oscura | Identificación | - | 0,2 | 0,5 | nA | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | λ=1310 nanómetro |
| 0,90 | 0,95 | λ=1550 nanómetro | ||||
| Ancho de banda de la frecuencia | Bw | 1 | 2000 | Megaciclo | ||
| Respuesta de frecuencia | Franco | - | ±0,5 | - | DB | |
| Capacitancia | Ct | - | - | 0,75 | PF | - |
| Tiempo de respuesta | Tr | - | - | 1 | ns | - |
| CSO | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Grados | Unidad |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| Temperatura de funcionamiento | Top | -40 〜 +85 | °C |
| Max Input Power | Pmax | +4 | dBm |
| Voltaje de funcionamiento | Vop | 5 | V |
| Voltaje reverso del paladio | VR (PALADIO) | 25 | V |
| Temporeros que sueldan | - | 260 | °c |
| Tiempo que suelda | - | 10 | s |
Características ópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
| Gama de longitud de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nanómetro | - |
| Rango de potencia | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| Diámetro activo | Anuncio | 75 | um | - | ||
| Corriente oscura | Identificación | - | 0,2 | 0,5 | nA | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 nanómetro |
| 0,90 | 0,95 | 入 =1550 nanómetro | ||||
| Ancho de banda de la frecuencia | Bw | 1 | 2000 | Megaciclo | ||
| Respuesta de frecuencia | Franco | - | 土 0,5 | - | DB | |
| Capacitancia | Ct | - | 0,65 | 0,75 | PF | - |
| Tiempo de respuesta | Tr | 0,1 | - | ns | - | |
| Pérdida de vuelta | R1 | -45 | DB | |||
| cso del cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell es un enchufe profesional en los módulos coaxiales del diodo del fotodetector de InGaAs (receptáculo activo óptico análogo ROSA enchufar)
fabricante en China. También proporcionamos los diodos láser de la mariposa, diodo de detector coaxial del laser de la coleta de InGaAs, dispositivo coaxial del laser del diodo de la coleta
y más.
5. Asignación de Pin del paladio:
