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Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC

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Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC
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Caracteristicas
Especificaciones
Tipo: Módulo coaxial del laser de DFB HCW-PLD1550Dxx-S (1550nm-1552nm)
Longitud de onda: 1550nm-1552nm
Aislamiento: Solo/doble
Microprocesador: CWDM DFB
Tolerancia: +/-3nm
Pago: TT/PayPal
Voltaje reverso del máximo: 15 (PALADIO)
Tipo del paquete: A través del agujero
Alta luz:

módulo del diodo láser de 1550nm DFB

,

Módulo del diodo láser de DFB con TEC

Información básica
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: HICORPWELL
Certificación: ISO9001;2015
Número de modelo: Módulos coaxiales del laser del diodo láser de la coleta DFB de la fibra óptica
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: 26X5.5X19 cm 0.3KG para 10 PC
Condiciones de pago: Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 5000pcs por semana
Descripción de producto

   

Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC

 

el módulo del diodo láser de 1550nm DFB tiene un fotodiodo incorporado del monitor de InGaAs y un aislador óptico integrados dentro de su paquete.

Su ancho de banda directo de la modulación es mayor que 1.8GHz. Este diodo láser es conveniente para los usos en redes ópticas

por ejemplo sistemas de comunicación móvil y sistemas de CATV.

Características:

  • Ancho de banda análogo más alto que 1800MHz
  • microprocesador del laser de la Alto-confiabilidad DFB en 1310nm o 1550nm
  • Fotodiodo incorporado del monitor de InGaAs
  • Aislador óptico incorporado
  • el paquete pigtailed coaxial 4-pin, el solo modo FC/APC o el conector de SC/APC (o el otro tipo del conector)

Usos:

  • Sistemas ópticos del repetidor de la fibra en redes de comunicaciones móviles
  • Sistemas de transmisión de CATV (trayectorias de vuelta/vínculos)
  • Otros usos análogos

Especificaciones:
Los diodos con la salida estándar 2mW o el poder de alto rendimiento 5mW están disponibles.

 

 

Grados máximos absolutos

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 100 -
Temperatura de funcionamiento Top -40 85 -
Actual delantero (LD) Si (LD)   150 mA  
Voltaje reverso (LD) Vr (paladio)   2 V  
Actual delantero (paladio) Si (LD)   2 mA  
Voltaje reverso (paladio) Vr (paladio)   15 V  
Temporeros que sueldan - - 260 -
Tiempo que suelda - - 10 S S

 

 

Características ópticas y eléctricas

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Poder clasificado Po 6 8   mW Ith+40mA
Corriente del umbral Ith   5 10 mA CW
Funcionamiento de funcionamiento Si   45 55 mA CW, P=Po
Caída de voltaje delantera Vop - 1,1 1,5 V CW, Ith+40mA
Longitud de onda del centavo λc 1540 1550 1560 nanómetro -3DB
Anchura del espectro Δλ -   0,2 nanómetro -20dB
ratio de la supresión del Lado-modo SMSR 35   - DB -
Ancho de banda (3dB) Bw - 2,5   Gigahertz -
Corriente del monitor Im 0,1   0,9 mA CW, Ith+40mA
Corriente oscura del monitor Identificación - - 0,1 UA 5V
Ruido relativo de la intensidad RIN - -155 -150 dB/Hz CW, 25℃
Llanura sintonizada del RF FB   ±1.0   DB If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25
distorsión del Tercero-orden IMD3 - -55 - dBc prueba de 2 tonos,
Aislamiento óptico ISO 30 40 - DB 25℃

 

 

Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC 0

Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC 1

 

Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC 2

 

 

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