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Diodo láser del punto de congelación de la unidad DFB del aislamiento de Support Module Without del driver de dispositivo del Cw del poder más elevado del funcionamiento

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Diodo láser del punto de congelación de la unidad DFB del aislamiento de Support Module Without del driver de dispositivo del Cw del poder más elevado del funcionamiento
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Caracteristicas
Especificaciones
Tipo: Diodo láser
Longitud de onda: 1270nm-1610nm
Aislamiento: Solo/doble
Microprocesador: CWDM DFB
Tolerancia: +/-3nm
Pago: TT/PayPal
Voltaje reverso máximo: 15 (PALADIO)
Tipo del paquete: A través del agujero
Información básica
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: HICORPWELL
Certificación: ISO9001;2015
Número de modelo: Módulos coaxiales del laser del diodo láser de la coleta DFB de la fibra óptica
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: Los 7X25X34CM, 10 PC en una caja, 50 PC en un cartón
Condiciones de pago: Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 5000pcs por semana
Descripción de producto

Diodo láser del punto de congelación de la unidad DFB del aislamiento de Support Module Without del driver de dispositivo del Cw del poder más elevado del funcionamiento

 

 

Características

 

Aislador óptico incorporado del Ø

Capacitancia baja del Ø y corriente oscura baja

Ø
La alta estabilidad de los lasers de DFB muere

Corriente baja del umbral del Ø, corriente de funcionamiento baja

Aislamiento integrado del Ø alto, pérdida de inserción baja

 

Usos

 

Transmisión del revés de CATV

La otra transmisión óptica análoga o de Digitaces

 

 

Grados máximos absolutos

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 100 -
Temperatura de funcionamiento Top -40 85 -
Actual delantero (LD) Si (LD)   150 mA  
Voltaje reverso (LD) Vr (paladio)   2 V  
Actual delantero (paladio) Si (LD)   2 mA  
Voltaje reverso (paladio) Vr (paladio)   15 V  
Temporeros que sueldan - - 260 -
Tiempo que suelda - - 10 S S

 

 

Características ópticas y eléctricas

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Poder clasificado Po 6 8   mW Ith+40mA
Corriente del umbral Ith   5 10 mA CW
Funcionamiento de funcionamiento Si   45 55 mA CW, P=Po
Caída de voltaje delantera Vop - 1,1 1,5 V CW, Ith+40mA
Longitud de onda del centavo λc 1540 1550 1560 nanómetro -3DB
Anchura del espectro Δλ -   0,2 nanómetro -20dB
ratio de la supresión del Lado-modo SMSR 35   - DB -
Ancho de banda (3dB) Bw - 2,5   Gigahertz -
Corriente del monitor Im 0,1   0,9 mA CW, Ith+40mA
Corriente oscura del monitor Identificación - - 0,1 UA 5V
Ruido relativo de la intensidad RIN - -155 -150 dB/Hz CW, 25℃
Llanura sintonizada del RF FB   ±1.0   DB If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25
distorsión del Tercero-orden IMD3 - -55 - dBc prueba de 2 tonos,
Aislamiento óptico ISO 30 40 - DB 25℃

 

 
Nota 1. 2.5Gb/s NRZ, pseudoaleatoria, Pb=0.2mW, Ppeak=1.0mW
 
Los requisitos adicionales se pueden establecer con la negociación amistosa.
 
nos reservamos la derecha de realizar cambios al producto o la información contuvo adjunto
 
sin previo aviso.

 

Diodo láser del punto de congelación de la unidad DFB del aislamiento de Support Module Without del driver de dispositivo del Cw del poder más elevado del funcionamiento 0Diodo láser del punto de congelación de la unidad DFB del aislamiento de Support Module Without del driver de dispositivo del Cw del poder más elevado del funcionamiento 1
 
 

 

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